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IPB020N10N5ATMA1

发布时间2022-9-22 7:36:00关键词:IPB020N10N5ATMA1
摘要

IPB020N10N5ATMA1,功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK),

IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1,功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK),

属性 数值

通道类型 N

最大连续漏极电流 176 A

最大漏源电压 100 V

封装类型 TO 263

安装类型 表面贴装

引脚数目 3 + 2 Tab

最大漏源电阻值 2.5 mΩ

通道模式 增强

最大栅阈值电压 3.8V

最小栅阈值电压 2.2V

最大功率耗散 375 W

晶体管配置 单

最大栅源电压 20 V

宽度 11.05mm

最高工作温度 +175 °C

每片芯片元件数目 1

典型栅极电荷@Vgs 168 nC @ 10 V

长度 10.31mm

Infineon 的最新一代 OptiMOS 5 100V 功率 MOSFET 专门设计用于电信系统和服务器电源的同步整流。此外,这些器件还可用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动器和适配器。新款 OptiMOS 5 100V MOSFET 采用七种不同封装,提供业内最低的 R DS(on)。

经优化可用于同步整流

特别适用于高切换频率

输出电容下降多达 44%_与上一代产品相比,R DS(on) 下降多达 43%_优点:

最高系统效率

减少切换和传导损耗

所需并联减少

功率密度增加

低电压过冲

目标应用:

电信

服务器

太阳能

低电压驱动器

轻型电动车

适配器

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