
IPB020N10N5ATMA1,功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK),
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 176 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 TO 263
安装类型 表面贴装
引脚数目 3 + 2 Tab
最大漏源电阻值 2.5 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.8V
最小栅阈值电压 2.2V
最大功率耗散 375 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 20 V
宽度 11.05mm
最高工作温度 +175 °C
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 168 nC @ 10 V
长度 10.31mm
Infineon 的最新一代 OptiMOS 5 100V 功率 MOSFET 专门设计用于电信系统和服务器电源的同步整流。此外,这些器件还可用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动器和适配器。新款 OptiMOS 5 100V MOSFET 采用七种不同封装,提供业内最低的 R DS(on)。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%_与上一代产品相比,R DS(on) 下降多达 43%_优点:
最高系统效率
减少切换和传导损耗
所需并联减少
功率密度增加
低电压过冲
目标应用:
电信
服务器
太阳能
低电压驱动器
轻型电动车
适配器