AD8617ARZ,全新原装正品当天发货.
提供BOM表一站式配单配套还有:
ICS954552CGLFT
AD9779BSVZ
VLS252012ET-2R2M
VLS252012ET-R47N
VLS252010HBX-1R5M
VLS252010HBX-1R0M
VLS252012T-1R0N1R7
VLS252015T-3R3M1R0
AD9779BSVZ
B772
FFPF04S60S
FFPF04H60STU
AM113LN-B-0-TR
ty6801111190kc04
PCF8563T
PCF8563/F4
SC2272
NIS1050MNTBG
EUP3406VIR1
EUP8010B-JIR1
AD1859JRZ
PCF8563T
EUP3406VIR1
EUP2573VIR1
LP2995MRX
78L05CPK
LP2995MRX
BQ27510DRZR
SS36
FQB11P06
RB521S-30TE61
2SC4226-T1-A/JM
AW8110CSR
2SC4226-T1-A/JM
FSA203BQX
FSA203
NC7SZ19P6X
NC7SZ19P6X
NC7SZ175P5X
NC7SZ126P5X
NC7SZ125P5X
NC7SZ125M5X
NC7SZ14P5X-NL
NC7SZ10P6X
NC7SZ126P5X
NC7SZ175P5X
DF3A3.3FU
DF3A3.3FU
SIR640DP-T1-GE3
ADS1217IPFBT
ADS7890IPFBT
GE28F640W18TD
LM4880MX
8275AC
29F64G08CBABA
THS7316D
THS7316D
THS7314DG4
S103K75Y5PN83J0R 陶瓷电容
DB2460200L
DB2460200L
BYG20J-E3 整流二极管
BA7071F-E2
L79L05ABD13TR
SI4362DY-T1-E3
SI4362DY-T1-E3
SIP21104DLP-18-E3
FQD13N10L
FQD13N06L
PEB33322ELV2.2
1156AS-101M=P2
UPG2012TB
MT3S20R
MT3S20R
STV7617
FAN5236MTC
FAN5234MTX
FAN5232
EL3H7
SSM6N17FU
SSM6N17FU
MCH6613-TL-E
R5C843-CSP208P
DTC143ZE 带阻三极管
DTC143TMT2L
DTC143ZM T2L
R5C843-CSO208P
ADP1974ARUZ-R7
LL4148
MIC5841BWM
LL4148-GS08
TK10A60W MOSFET或IGBT开关IC
FDP12N50NZ
NTMFS4841NHT1G
NTMS4503NR2G
PCF8582C-2T
PAM8006
NJM2123V-CRV
PCF8583T/F5
PCF8582C-2T
NCP392DRFCCT1G
SN74ABT162244DLR
LM385BM-2.5
RF7412SQ
R3112N341C-TR-F
STC870-001
SM79164C35QP
ISL6844IUZ-T
ISL6840IBZ
AT89C4051-24PU
IHLP5050FDER1R5MA1
LT1431CS8#TR
LT1431CS8
RF3189
MAX968ESA+T
FQD5N60C
FQD5N60C
MAX968ESA+T
MMDL914T1G
TEA1206
BD135
CAT24C16WI-GT3
CAT24AA16WI-GT3
cat24C64
KSA1381ESTU
AV2188E
LM224DR
SS24
MBRS4201T1G
LM224N 通用运放
8205A
NTA4001NT1G
NTA4001NT1G
ADR3430ARJZ-R7
LT1375CS8
OB431AEPA
OB431AEPA
TLV70218DBVR
TLV70233DBVR
TEA1211HN/N1
BM1117-2.5V
BM1117-5.0V
BSS84DW-7-F
NTD40N05
XC2S200E-6FGG456C
PSB6972VV1.3
PSB6973ELV1.3
IP1117-25
IPD20N03L
M3S 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美半导体M3S 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。安森美半导体M3S 1200V MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。M3S具有低开关损耗，采用TO247-4LD封装，可实现低公共源电感。
特性
TO247-4LD封装，可实现低共源极电感
15V至18V栅极驱动
M3S技术，22mhm RDS(ON)，具有低EON和EOFF损耗
100%经雪崩测试
EON损耗低
18V，性能最佳；15V，兼容IGBT驱动器电路
功率密度更高
提高了对意外进入电压尖峰或振铃的稳健性
应用
交流-直流转换
直流-交流转换
直流-直流转换
UPS
电动汽车充电器
太阳能逆变器
储能系统
