IRLML6402TRPBF
规格信息：
产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and_Below
设计资源：IRLML6402TR Saber Model IRLML6402TR Spice Model
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：633pF @ 10V
功率 - 最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：Micro3?/SOT-23
其它名称：IRLML6402PBFTR
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