TAS2563YBGR
规格信息：
制造商:Texas Instruments
产品种类:音频放大器
RoHS:是
系列:TAS2563
产品:Audio Amplifiers
类:Class-D
输出功率:6.1 W x 1 at 4 Ohms
安装风格:SMD/SMT
类型:Speaker
封装 / 箱体:DSBGA-42
THD + 噪声:0.01 %_电源电压-最大:1.95 V
电源电压-最小:1.62 V
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Reel
输入类型:Digital
输出电流:3.75 A
商标:Texas Instruments
通道数量:1 Channel
关闭:Shutdown
产品类型:Audio Amplifiers
工厂包装数量:3000
子类别:Audio ICs
TAS2563YBGR 音频放大器 ,全新原装当天发货或门市自取，量大价优，电子元器件BOM表一站式配单配套,稳定供应,因产品过多原因我们未对一.一产品进行参数描述，如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购买请联系我们的工作人员.
其它现货产品还有:
PTY8726
功能
低导通电阻
快速切换
100%雪崩测试
允许高达Tjmax的重复雪崩
无铅，符合RoHS
描述
PTY8726采用沟槽工艺设计
实现极低导通电阻的技术。
此设计的附加功能可以在
结温高，开关速度快
改进了重复雪崩评级。这些
这些功能结合在一起，使这个设计成为
高效可靠的电机用装置
以及各种各样的其他应用。
绝对最大额定值
超过“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是压力等级；和
不意味着在这些条件或规范中指示的条件之外的任何其他条件下设备的功能操作。暴露于
长时间的绝对最大额定条件可能会影响设备的可靠性。热阻和功耗额定值为
在板载和静止空气条件下测量。除非另有规定，否则环境温度（Ta）为25°C。
CY7C235A-25PC
DG303ACJ
K4S641633D-GN96
LD27C64-150
LF13202
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MC10EL89D
MC10EL89DR2
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P8254
SC26C92C1A
SCC2692AE1N28
TDA8703T
TL16C452FN
TP5088
UDN2917EB
74LS224
74LS224AN
MC4044
Z85C3008VSC
D6571A-11BQC
8031
3917A
4555BF3A
DS9034PC
ICL7117CPL
ICM7218AIJI
INA128PA
LM107H-883
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MC145151FN2
MC68HC000FN12R2
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SAB8031A-12P
TDA5660
LM1893
RC224ATFPQFP
2716
100324Q1
100324SC
27128-200
27C020-150DI
28F256-150C1
4034BAL
514221B-30RS
74ALS632AJ
84405-1
AD7528KN
AD7531KN
AM2149-55DC
AM27S13PC
AM7969-175JC
CA3045F
FDC37C653QFP
FDC37C937APM
HA1-4741-5
HCPL7800
HD44780UA01
HD6301V1P
HI3-506-5
IDT7205L35J
JAN2N3019
JX2N3439
L4977A
LT121I5
MAC200V4
MAX234CPE
MAX796CSE
MAX875BCPA
MC12015P
MC145191F
MC6802
MK50396N
MRFIC0912R2
MVA5022BWDP
MX7545JN
NM29N16S
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P8039AHL
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PLS100F
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XC68HC705C9ACP
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54HCT354F
CA3100
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MC33120P
MC3419-1L
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MC68HC11F1CFN3
MMAS40G10D
MT4C1004JDJ-60
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XR88C681CP28
XR88C681P
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Z86C9320PSC
P28F010-150
PCM53JPV
UPD4991AGS
LTC1422IS8
8031
27C128-120
54HCT356F
AY3-1015D
CA2111AE
CY7C1049BV33-20VCT
DM8312N
ICL7662EBA
IR2429
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M38022M2-235SP
M50560-001P
MC1648P
MC1723CG
MRF559
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NE5900
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8035
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4514BF3A
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INA105KP
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SCX6218WMH/V2
DG506ACJ
D51C68-30
LF412MH
MC3420P
MK5156J
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TAA765A
2716-150
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4067BF
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D2118-7
HD63084FP
HV102
LM117H
LM394
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MC1414P
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MAX378CPE
12138CIN
54ACT623F3A
AD827JR-16
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ADC0820BCN
ADC10831CIN
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CY7C1041B-15VC
DP8473N
DPL3519A
EP600PC
HCPL4200
HD3-6402R-9
ICL7667MJA
IDT7014S25PF
IDT72201L-15J
IDT72201L-20J
IMSG171S35
IMSG171S35C
LM117H/883
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LM313H
LM6218
LMC13334N
LT1039CJ
M48Z35AV-10PCI
MAX4052ACEE
MC145146P2
MC145152DW
MC145402L
MC68HC705C8ACF
MC68HC705L5FU
MJW16012
MPC507AP
MPC951FA
MT55L128L32P1T-10
OP467GS
P8155H-2
PGA205BP
SAA7165WP
SDA9205-2
SDA9255E
SED1360FOA
SG1525AJ
SG1842Y
ST16C654DCQ
TD27C010-150
TMP47P870
规格型号 封装 极性 PDF/下载 VDS ID RDS(ON)@VGS=10V RDS(ON)@VGS=4.5V VGS(TH) Qg Ciss
(V) (A) Typ（mΩ） Max（mΩ） Typ（mΩ） Max（mΩ） Min(V) Max(V) Typ(nC) Typ(pF)
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CRSM062N10N PDFN5×6 N 查看 100 79 5.7 6.5 - - 2 4 65 4135
CRSM072N10N2 PDFN5×6 N 查看 100 100 6 7.2 - - 2 4 33.5 2276
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CRSM120N10L2 PDFN5×6 N 查看 100 58 11 13.2 13.5 16.9 1.4 2.2 28 1618
CS55N10AQ3-G PDFN5×6 N 查看 100 55 12 15 15 19 1 3 112.65 5401
CRSM080N10N4 PDFN5×6 N 查看 100 80 7 8.4 - - 2.2 3.8 34 2303
CS13N10AQ3-G PDFN5×6 N 查看 100 13 54 68 59 72 1 2 25.9 1194
CRSM043N10N4Z PDFN5×6 N 查看 100 80 3.8 4.6 2.2 3.8 67 4211
CRSM055N10L4 PDFN5×6 N 查看 100 80 4.8 5.8 6 7.2 1.4 2.2 55 3282
CRSM088N12N PDFN5×6 N 查看 120 60 7.3 8.8 - - 2 2.2 47 3491.7
CRSM070N12N PDFN5×6 N 查看 120 80 6 7 2.4 3.6 46 3862
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CRSM100N15N3Z PDFN5×6 N 查看 150 75 9.5 10.8 2 4 34 2206
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CRSM650N20N3Z PDFN5×6 N 查看 200 19 57 65 2 4 13 834
SoC(System on Chip)，指的是片上系统，MCU只是芯片级的芯片，而SOC是系统级的芯片，它既MCU(51，avr)那样有内置RAM、ROM同时又像MPU那样强大，不单单是放简单的代码，可以放系统级的代码，也就是说可以运行操作系统(将就认为是MCU集成化与MPU强处理力各优点二合一)。
一、屏蔽技术
利用金属材料制成容器，将需要保护的电路包在其中，可以有效防止电场或磁场的干扰，此种方法称为屏蔽。屏蔽又可分为静电屏蔽、电磁屏蔽和低频磁屏蔽等。
1、静电屏蔽
根据电磁学原理，置于静电场中的密闭空心导体内部无电场线，其内部各点等电位。用这个原理，以铜或铝等导电性良好的金属为材料，制作密闭的金属容器，并与地线连接，把需要保护的电路值r其中，使外部干扰电场不影响其内部电路，反过来，内部电路产生的电场也不会影响外电路。这种方法就称为静电屏蔽。例如传感嚣测量电路中，在电源变压器的一次侧和二次侧之间插入一个留有缝隙的导体，并把它接地，可以防止两绕组之问的静电耦合，这种方法就属于静电屏蔽。
2、电磁屏蔽
对于高频干扰磁场，利用电涡流原理，使高频干扰电磁场在屏蔽金属内产生电涡流，消耗干扰磁场的能量，涡流磁场抵消高频干扰磁场，从而使被保护电路免受高频电磁场的影响。这种屏蔽法就称为电磁屏蔽。若电磁屏蔽层接地，同时兼有静电屏蔽的作用。传感器的输出电缆一般采用铜质网状屏蔽，既有静电屏蔽又有电磁屏蔽的作用。屏蔽材料必须选择导电性能良好的低电阻材料，如铜、铝或镀银铜等。
3、低频磁屏蔽
干扰如为低频磁场，这时的电涡流现象不太明显，只用上述方法抗干扰效果并不太好，因此必须采用采用高导磁材料作屏蔽层，以便把低频干扰磁感线限制在磁阻很小的磁屏蔽层内部。使被保护电路免受低频磁场耦合干扰的影响。这种屏蔽方法一般称为低频磁屏蔽。传感器检测仪器的铁皮外壳就起低频磁屏蔽的作用。若进一步将其接地，又同时起静电屏蔽和电磁屏蔽的作用。
基于以上三种常用的屏蔽技术，因此在干扰比较严重的她方，可以采用复合屏蔽电缆，即外层是低频磁屏蔽层。内层是电磁屏蔽层.达到双重屏蔽的作用。例如电容式传感器在实际测量时其寄生电容是必须解决的关键问题，否则其传输效率、灵敏度都要变低。必须对传感器进行静电屏蔽，而
